Společnost Samsung Electronics oficiálně zahájila sériovou výrobu prvního 256 GB paměťového čipu založeného na standardu 2.0 Universal Storage Flash (UFS). Společnost se má čím pochlubit, protože nový čip nabízí pro mobilní zařízení vynikající výkon, který přesahuje typické úložiště SATA SSD u počítačů.
Ve skutečnosti nabízí rychlost čtení až 850 MB/s a rychlost zápisu až 260 MB/s. To je třikrát rychlejší než u vysoce výkonných microSD karet.
Čip, který je založen na V-NAND technologii, se může pochlubit až 45000 operacemi za sekundu při čtení 40 000 při zápisu. To je dvakrát rychlejší než u předchozí generace paměti UFS.
Sledování a nahrávání 4K filmů je proto pro čip hračkou. Samsung také zmínil, že u svých budoucích telefonů bude podporovat rozhraní USB 3.0 a že s tímto novým 256 GB UFS 2.0 čipem bude trvat přenos videa s rozlišením 1080p o délce 90 minut jen 12 sekund.
Samsung Galaxy Note 6 vyjde s největší pravděpodobností letos v září, a zní docela reálně, že vlajkový phablet společnosti bude prvním telefonem, který bude úložiště využívat.
